檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Meng-Lin Tsai".ecommittee (精準) and year="109"
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本研究以類石墨型氮化碳(Graphitic carbon nitride, g-C3N4)薄膜為基礎，應用於電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)之…
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鈣鈦礦量子點由於其光學特性容易由成分和製程調整，也有很高的發光量子產率(Photo-Luminescence Quantum Yield, PLQY)，再加上製作方法簡單，故近年來鈣鈦礦量子點在半導…
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近年來，三維奈米孔洞材料備受矚目，因其具有能夠客製化的內部結構，在眾多應用領域都被認為是具有潛力的新興材料。在本文中，將會劃分為兩個部分對鐵/鈷二元金屬有機骨架材料(Iron/cobalt …
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二維層狀半導體第六族過渡金屬硫族化物由於具備極大延續摩爾定律潛力，近年來廣受關注。為了達到大規模商業化生產，生長高品質與大面積第六族過渡金屬硫族化物薄膜成為重要議題之一。因此，本研究利用化學氣相沉積…